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 ::: 半导体分立器件测试系统 产品详情 :::

 

半导体分立器件测试系统
ENJ2005-B半导体分立器件测试系统系列

系统概述:
设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补
偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
系统特征:
● 测试范围广(19大类,27分类)
●升级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A
● 采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 被测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏
● 真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际值偏差很大)
● 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障
● 二极管极性自动判别功能,无需人工操作
测试参数:
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-


基础配置:
[table]

技术参数


ENJ2005-B型


主极电压


10mV-2000V


主极电流


100nA-50A


扩展电流


100A、200A、400A、500A


电压分辨率


1mV


电流分辨率


100nA


测试精度


0.5%+2LSB


测试速度


0.5mS/参数


产品图片:
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企业名称: 西安谊邦电子科技
联系电话: 029-86095858
联 系 人: 杨经理
E-mail: 13759984767@163.com
网    址: http://p33dekk4.qy01.cn
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